虽然LD转换效率很高，但是由于其内部存在各种非辐射复合损耗、自由载流子吸收等损耗机制，这说明有部分电功率转化为热量，并导致LD有源区的温度升高。本文就对LD芯片的热特性进行测试，研究其特性变化规律。

LD芯片的热特性测试：

试验设备：环仪仪器 LD/PD芯片高速双温测试机

测试过程：

设定其工作模式为制冷模式，起始温度为20℃，回差温度为10℃，这样，当探测到的温度高于30℃时，就会启动TEC为LD降温，到达30℃时记录测试数据。

测试结果：

不同温度下的PIV特性曲线如下图(白上而下温度越来越高)。

同时可以得到相同电流下不同温度的光电参数，如下图。

不同温度下的光谱特性曲线如下图(自左而右温度越来越高)。

同时可以得到相同电流下，不同温度的峰值波长变化曲线如下图。

从图中可以看出，波长随着温度升高而变长，即发生了红移。引起波长红移原因主要有两个，一是由于谐振腔的折射率随温度的变化发生了变化，二是由于温度变化使谐振腔的尺寸发生变化。

不同温度下的远场曲线如下图。

同时可以得到相同电流下，不同温度的两个主轴方向上的发散角变化曲线如下图所示。

从图中可以看出，发散角随着温度升高变大。即发散角随温度变化发生了劣化。

测试结论：

由实验数据可知，激光二极管在同一驱动电流下，随着温度的升高，其水平发散角和垂直发散角增大。在同一温度下，加大驱动电流，其发散角也会显著增大。

对于半导体激光器来说，激光腔镜热畸变是激光输出光束质量下降的主要原因。温度越高，镜面热变形越显著，会导致模式耦合引起多模振荡，使激光器的发散角变大，从而影响激光光束质量。

在相同温度下给激光器不同的驱动电流，激光二极管在较大驱动电流下产生更多的热量，其镜面热变形会比其在小驱动电流下的镜面热变形更大，所以加大驱动电流，激光二极管的发散角变大。

以上就是LD芯片的热特性测试，如有试验疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。