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光模块LD芯片双温检测系统的主要特性

文章出处:原创 编辑:admin 发表时间:2026-06-04

光模块LD芯片双温检测系统主要用于检测 LD 芯片在低温、常温和高温下的光电性能。设备可在 -40℃~100℃温度范围内,高保真完成芯片的正光与背光 LIV、光谱及出射光束特性测试。下面,我们来了解一下该产品的主要特性。

 

产品名称:环仪仪器 光模块LD芯片双温检测系统

1.jpg

 

一、主要功能:

1.支持产品类型:兼容客户指定的 DFB 或 EML Die 测试(根据 DFB 与 EML 腔长尺寸差异,测试载台可选择兼容或不兼容)。

2.测试项目:激光器前光与背光 LIV, EML 消光比与光谱测试。

3.测试温区数:2 个温区。

4.ID 识别:支持 Chip ID 识别。

5.芯片尺寸:L&W≥150um, H>80um~150um。

6.吸嘴结构:特殊设计的吸嘴结构,先从料盒剥离,然后吸起。

LD4_03.jpg

 

7.测试参数:Ith、Se、Iop、Pf, Vf、Ir、PKink、Ikink、Rd、Pmax、IRoll、ER、λc、SMSR 等,可根据需求进行增删。

8.上料料盒:支持 1 个 6 英寸蓝膜。

9.下料料盒:支持 4 个 6 英寸蓝膜。

10.下料分档:根据识别和测试结果,将物料分类到:1、pass;2、fail;3、失效;4、无 SN 信息等,物料分类可根据需要设计。

11.CDA 要求:>600L/Min(如果小于此流量将影响降露点速度)。

二、温度特性:

控温方法:TEC+水冷(带露点监控)

温度范围:-40~100 ℃

温度升温速度:室温升到 90℃ <5 分钟

温度下降速度:室温降到-40℃ <10 分钟

LD3_01.jpg

 

温度精度:±0.2℃

温度准确性:(-40)~25:±0.3℃+1%ΔT;25~95℃: ±0.5℃+1%ΔT

三、光参数

探测器类型:Ge

光功率探测波长范围:800~1700nm

光功率测量范围:10uW~25mW(>25mW 可增加衰减片测量)

光谱测试波长范围:依据光谱仪

光谱测试精度:依据光谱仪

EA DCER 精度:±0.2dB

LD1_01.jpg

 

以上就是光模块LD芯片双温检测系统的主要特性介绍,如有选型疑问,可以咨询环仪仪器相关技术人员。

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