高速电芯片高温寿命试验箱主要用于高速电芯片的鉴定和可靠性检验。该试验主要描述随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。

满足标准：

GB/T 4937.23-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命

IEC 60749-23:2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命

技术参数：

试验条件：

除另有规定外，高温应力下应调整环境温度和偏置条件，使温度保证在需要的范围内。对于本试验，典型的试验条件是结温125℃，时间1000 h。

工作电压：

试验时器件上施加的电压应为器件规定的最大工作电压。允许采用更大的电压和更高的温度实现加速寿命，但施加的电压不应超过器件的绝对最大额定电压。

试验方法：

适用的寿命试验规范中规定的测试，应在寿命试验开始前、每次中间测试点之后、寿命试验结束后进行，中间测试和最终测试可包括高温测试，但高温测试应在完成规定的室温（和更低）测试之后进行。

中间测试后，在试验箱升温前或移入高温试验箱10min之内，器件应施加偏置。器件在去掉偏置96h内应尽快完成电参数测试，如因测试设备的可用性或其他因素造成无法按规定完成测试，应延长偏置寿命应力或在室温下器件保持偏置状态，直到能满足96h完成测试的要求。

如果器件去掉偏置并超出96h，器件在完成测试前应按下表规定的时间重新施加应力。中间测试后，应力应在中断点继续施加。对于特定工艺如已有验证数据，以上要求和本章的高温测试限制可不要求。

注： 如果怀疑失效机理可在96 h 内恢复， 则可能需要更短期的存储时间。

如有高速电芯片高温寿命试验箱的选型疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。