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激光器芯片双温测试台的高温测试方案

文章出处:原创 编辑:admin 发表时间:2026-06-02

在半导体激光器芯片生产过程中,老化试验(Burn-in Test)是筛选早期失效器件、提高产品可靠性的重要环节。下面,我们来看看激光器芯片是怎么做高温测试的。

 

激光器芯片高温测试方法:

试验设备:环仪仪器 激光器芯片双温测试台

1.jpg

 

老化温度:100℃

老化电流:180mA

 

老化过程:

步骤1:抽取不同批次芯片3Lot*11PCS作为待老化试验芯片。温度从40℃起始,100℃终止,步距5℃,得到不同温度。测试在不同温度下,饱和电流及第一波长值。

 

步骤2:将芯片封装成To组件,设定激光器芯片双温测试台环境温度100℃,起始驱动电流80mA,终止驱动电流250mA,驱动电流步进20mA,测试在不同的驱动电流下的第二波长值。

LD1_01.jpg

 

步骤3:将步骤1统计数值绘制第一拟合曲线,将步骤2统计数值绘制第二拟合曲线,交叉点对应目标电流值为180mA。

 

步骤4:按步骤1~3得出极限老化条件为激光器芯片双温测试台环境温度100℃环境下,目标电流值180mA,故以预设老化时间12H,预设拓展老化时间为24H,高温工作寿命测试时间2000H,20mA为预设步距,设置不同的试验驱动电流180mA、160mA、140mA、120mA、100mA、80mA,制定6组实验组。

LD3_01.jpg

以上就是激光器芯片高温测试方案,如有试验疑问,可以咨询环仪仪器相关技术人员。

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