在光模块的在产品化过程中，高温反偏（high temperature reverse bias，HTRB）试验可验证光模块的高温可靠性，剔除具有表面效应缺陷的早期失效器件。下面，我们对光模块的HTRB高温反相偏压实验做个简单了解。

试验设备：环仪仪器 高温反偏老化系统

试验标准：JESD22-A108

测试方法：

125~150℃高温下施加额定反向电压的80%，持续1000小时，检测PN结漏电、钝化层可靠性及边缘终端结构稳定性。

HTRB 测试条件：

HTRB测试温度优选最大结温100%Tjmax，偏置电压优选100%VDS(CE)max，测试时间100Oh，测量参数包括：栅极漏电流IDSS(CES)、击穿电压VBRDSS(BRCES)、阈值电压VTH，IDSS(CES)需连续监测，VBRDSS(BRCES)VTH在老化前后测量进行对比。IDSS(CES)超过限值或初始值5倍（含室温下）或VBRDSS(BRCES)超过限值或VTH超过上下限值即认为失效。

HTRB 加速老化模型：

HTRB加速老化测试在高温下施加阻断电压并对终端、钝化层进行考核，终端可动污染离子在电场及高温作用下逐渐暴露并在高电场区积聚，形成表面电荷，导致电场畸变及泄漏电流的增大，最终形成短路通道，其失效时间公式如下所示：

式中：

A为产品相关的特征系数；

B为测试方法相关的特征系数；

V为器件所加阻断电压；

C为电压加速因子；

D为电压与温度间的耦合系数（反映 HTRB下阻断漏电流带来的温升效应、温度升高对器件漏电流增大的作用等），相应加速因子如式如下所示：

如有HTGB高温栅偏压测试系统的试验疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。