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常见问题
光芯片高温寿命试验箱
光芯片高温寿命试验箱用于确定光电子器件、光芯片、光模块等光电器件的高温加速老化失效机理和工作寿命。

技术参数:

试验条件:
试验温度:(85±2)℃(组件或模块),或(70±2)℃(组件或模块),或(175±2)℃(光电二极管);
工作偏置:正常工作偏置(不限于);
试验时间:5000h(不限于)。

试验程序:
按以下程序进行试验:
a)试验前应对试样的主要光电特性进行测试;
b)将试样放进高温试验箱内,并使试样处于工作状态;
c)按照试验条件开始试验,记录起始时间、试验温度和试样数量;
d)使用监视仪器,从试验开始到结束监视试验温度和工作偏置,以保证全部试样按条件施加应力;
e)在中间测试时将样品从高温寿命试验箱取出,测试完成后放回高温寿命试验箱继续进行试验。

试验检测:
一般每168h在常温下测试一次光电特性。在测试前应先去掉偏置,然后冷却到室温后进行测试。
为什么要用光芯片高温寿命试验箱?
由于光芯片在工作时功率耗散非常大,多数输出的能量最终都会转化为热量,长时间运行后,发热量较大,导致周围环境温度增加;为了测试光芯片在高温环境下能否可靠运行,通常在使用前经过光芯片高温寿命试验箱进行测试。
如有光芯片高温寿命试验箱的选型疑问,可以咨询环仪仪器相关技术人员。
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