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闪存芯片高低温冲击试验箱

文章出处:原创 编辑:admin 发表时间:2025-07-16

闪存芯片高低温冲击试验箱主要检查材料是否能承受快速的温度变化。有些转变如从高温到低温,然后,从低温到高温。这些突然的变化会导致应力和损坏,如裂缝或断裂,要目标是看看材料如何应对这些大的温度波动。

闪存芯片高低温冲击试验箱(图1)

冷热冲击测试定义

冷热冲击测试又叫为高低温冲击试验或者温度冲击试验,是将试验样品暴露在高温和低温的连续交替环境中使其在短时间经历温度的急剧变化,考核产品对周边环境温度急剧变化的能力。在鉴定试验和例行试验中必不可少,也可以应用于环境应力筛选试验。

技术参数:

闪存芯片高低温冲击试验箱(图2)

高低温冲击试验分两箱法和三箱法

二箱设备区分为高温区,低温区两部分,测试产品置于提篮中,冲击时提篮将测试产品移动进高温区或低温区进行冲击,测试产品为动态式。

三箱设备区分为高温区,低温区,测试区三部分,测试产品完全静止。采用独特之蓄热、蓄冷结构,强制冷热风路切换方式导入测试区,完成冷热温度冲击测试。可独立设定高温、低温及冷热冲击三种不同条件之功能,执行冷热冲击条件时,可选择二箱或三箱功能并具有高低温试验箱的功能。

闪存芯片高低温冲击试验箱(图3)

产品说明:

1、应用于半导体器件、电子产品和其他军用设备在周围大气温度急剧变化条件下的适应性试验。

2、立式结构,高低温箱循环过程自动控制,停留及转换时间可调,不锈钢内胆,多形式记录,设有多种安全保护措施及装置。

3、满足 MIL-STD-810D方法 032、 GB2423.22-89Na、 GJB1505-86等。

 

如有闪存芯片高低温冲击试验箱的选型疑问,可以咨询环仪仪器相关技术人员。

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